对集成电路来说:一般来说4寸晶圆的厚度为0.520mm,6寸晶圆的厚度为0.670mm左右。晶圆必须要减薄,否则对划片刀的损耗很大,而且要划两刀。
我们做DIP封装,4寸晶圆要减薄到0.300mm;6寸晶圆要减薄到0.320mm左右,误差0.020mm。量测仪器片厚用千分尺就行了,膜厚一般用热波仪器量测,通过量测不同分布的多点厚度,求平均得出膜厚,一般同时反映膜的均匀性,并可见模拟等高线
对集成电路来说:一般来说4寸晶圆的厚度为0.520mm,6寸晶圆的厚度为0.670mm左右。晶圆必须要减薄,否则对划片刀的损耗很大,而且要划两刀。
我们做DIP封装,4寸晶圆要减薄到0.300mm;6寸晶圆要减薄到0.320mm左右,误差0.020mm。量测仪器片厚用千分尺就行了,膜厚一般用热波仪器量测,通过量测不同分布的多点厚度,求平均得出膜厚,一般同时反映膜的均匀性,并可见模拟等高线
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